設備名稱：高精密鍍膜刻蝕儀High precision coating etcher
設備編號：20037907
型號：PECS II (685)
廠家：GATAN
放置地點：理科樓D120

收費項目名稱
樣品制備 校外：150元/樣、校內：150元/樣

可容納直徑32mm的大樣品
集拋光、刻蝕或鍍膜于一身，樣品刻蝕后立即鍍膜，排除樣品污染
離子槍電壓、束流、刻蝕時間及鍍膜厚度可精確控制，實驗重復性好
具有平面和截面兩種加工模式，滿足不同應用需求
WhisperlokTM 專利技術，30s內實現樣品快速更換，提高工作效能
低能聚焦離子槍保證低能量下工作效率，尤其適合加工對表面損傷敏感的樣品，對EBSD和CL類等對表面要求苛刻的樣品效果尤佳
改進低能拋光效果，減少非晶層；提供更高的能量，以提高拋光速度
保護樣品避免離子束熱損傷，消除可能的假象
快速簡便地訪問所有的控制參數
如選配IPREP，更可實現3D EBSD或樣品三維重構
*實時監控加工過程將存儲的光學圖像與其他分析系統的數據做關聯分析
濺射靶材至樣品表面，防止樣品在SEM/FIB中發生荷電

對于同一個樣品，可在同一真空環境下完成拋光及鍍膜。PECSII是一款完全獨立、結構緊湊的臺式設備。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進行拋光，去除損傷層，從而得到高質量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC或其它分析。

適應大多數材料類型，對大面積、表面或輻照及能量敏感樣品尤佳
鋼鐵、地質、油頁巖、鋰離子電池、光伏材料、薄膜、半導體、EBSD、生物材料等