• 設備列表

    Equipment list
    飛行時間二次離子質譜儀

    聯系人:李展平

    房間號:理科樓D104

    電話: 010-62783586

    • 基本信息
    • 收費標準
    • 技術參數
    • 功能特色
    • 應用領域

    設備名稱:飛行時間二次離子質譜儀 Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS
    設備編號:13027664
    型號:TOF.SIMS 5
    廠家:ION-TOF GmbH(德國)
    放置地點:理科樓D104
    附屬設備:探針式膜厚測量儀(簡稱臺階儀)。型號:DektakXT;廠家:BRUKER(美國);量測范圍:為0.1nm 至1mm,分辨為0.1nm,測量重復性可以精確到0.5nm 以內;測量精度:若臺階高度小于或等于100nm,指標為+/-2nm,若臺階高度大于100nm,指標為+/-1%。

    收費項目名稱
    表面分析送樣測試 校外:1500元/小時 校內:800元/小時
    數據解析一律400元/小時
    注:1 有機材料深度剖面等特殊分析需追加200元/小時。
    ???????2 按預約先后排隊測試,校內優先。

    1.質量分析器
    類型:反射式質量分辨本領:M/△M>11000(28SiH+)>16000 (>200amu) 質量范圍: >12000amu
    2.一次離子束
    LMIG:Bi源最大能量:30keV最大電流:30nA最小束斑直徑:<100nm(Atomic), <80nm(Cluster)
    3.GCIB (Ar團簇離子槍) 能量范圍:2.5~20keVCluster 大小:1500~5000
    4.O2+離子槍 (僅作濺射)
    離子能量范圍:0.2~2keV
    5.Cs+離子槍(僅作濺射,與O2+離子槍共享一個離子光學系統)離子能量范圍:0.2~2keV
    6.帶電中和低能電子槍
    能量:1-20eV可調
    7.樣品臺:5維加熱/冷卻
    控溫范圍及精度:-130℃~600℃;±1℃
    8.EDR技術:動態范圍增2個量級
    9.本底真空:<6.7×10-10mba

    可用以表面下范圍在2nm以內的最表層分析,能檢測出包括氫(H)在內的所有元素及其同位素,對所有元素具有極高的檢測靈敏度(ppm~ppb,因元素而異),可檢測痕量雜質,及微量摻雜對材料和器件性能的影響;能測定從表面到深至數十μm的微量元素及化合物濃度布;能觀測各種元素及化合物的1D、2D、3D分布,具有很高的空間分辨率(<100nm);能分析絕緣材料;能鑒定有機化合物分子,對有機材料結構分析有獨特的能力,適于分析大分子、超高分子量有機化合物,并能測定分子量;能取得單分子層表面結構信息。

    適用于有機、無機、生物、醫學、電子、地質/考古、環境等各種領域的各種固體材料的分析。在有機納米材料和器件、有機/高分子材料微量添加劑、微電子材料、催化劑、摩擦化學、新藥創制、環境微顆粒微量成分、生物細胞分析等的研究開發中,它已成為必不可少的工具。

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