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    球差電鏡技術表征量子點納米顆粒支撐清華大學孫洪波教授團隊研究成果發表在《Science》

    2022-10-06

    2022年92日清華大學精密儀器系孫洪波教授、林琳涵副教授課題組的研究成果“光激發誘導化學鍵合實現半導體量子點3D納米打印”在《Science》雜志發表。文章中對核殼量子點異質結元素分布進行了能譜成像的表征,其表征由化學系分析中心最新安裝的賽默飛Themis Z球差矯正電鏡完成。



    上圖所示為CdSe@ZnSCore@Shell結構,由于兩者晶格匹配較好,難于通過高分辨圖像確定兩相界面,只能通過高分辨能譜確定Core@Shell異質結構的存在。半導體量子點外部包袱巰基小分子用來提高其分散性,且后期將利用巰基小分子實現光誘導化學鍵合,但大量有機小分子的存在致使電鏡表征時小分子碳化,影響圖像質量和最終結果。在表征前,利用等離子清洗工藝去除表面有機小分子,反復嘗試小功率多次清洗,在保證樣品支撐膜穩定的條件下,盡量獲得清潔的半導體量子點表面。最終找到了最佳清洗工藝條件,實現了10nm左右量子點Core@Shell結構的能譜成像表征。文中作者對表征工作的支持進行了致謝。




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